特許
J-GLOBAL ID:200903056636310418
液晶素子の製造方法、及び液晶素子の駆動方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
近島 一夫 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-232491
公開番号(公開出願番号):特開2002-116467
出願日: 2001年07月31日
公開日(公表日): 2002年04月19日
要約:
【要約】【課題】 短時間の処理で、表示画像の焼き付きを防止する。【解決手段】 カイラルスメクチック液晶を有するアクティブマトリクス型液晶パネルPを作製するに当たり、TFT4を介して各画素にエージング用電圧を印加する。この場合、エージング用電圧を駆動電圧(画像表示のために液晶に印加する駆動電圧)の最大値よりも大きくする。このようにして印加されるエージング電圧によって、液晶の電圧-透過率特性が短時間で安定になり、画像表示時において該特性が変化したりすることも無く、特性変化に基く表示画像の焼き付きを防止できる。
請求項(抜粋):
所定間隙を開けた状態に一対の基板を配置する工程と、これら一対の基板の間隙にカイラルスメクチック液晶を配置する工程と、該カイラルスメクチック液晶を挟み込むと共に複数の画素を構成するように一対の電極を配置する工程と、アクティブ素子を各画素毎に一方の電極に接続した状態に配置する工程と、からなる液晶素子の製造方法において、前記一対の電極を介して前記カイラルスメクチック液晶にエージング用電圧を印加することに基き該液晶の電圧-透過率特性を安定にする工程、を備え、かつ、前記エージング用電圧が、画像表示のために印加される駆動電圧の最大値よりも大きい、ことを特徴とする液晶素子の製造方法。
IPC (4件):
G02F 1/141
, G02F 1/133 560
, G09G 3/20 670
, G09G 3/36
FI (4件):
G02F 1/141
, G02F 1/133 560
, G09G 3/20 670 K
, G09G 3/36
Fターム (28件):
2H088GA04
, 2H088GA17
, 2H088HA08
, 2H088JA17
, 2H088MA18
, 2H093NA16
, 2H093NC34
, 2H093ND01
, 2H093ND47
, 2H093ND58
, 2H093NE04
, 2H093NF17
, 2H093NH13
, 5C006AC15
, 5C006AF61
, 5C006AF67
, 5C006BA11
, 5C006BB16
, 5C006FA34
, 5C080AA10
, 5C080BB05
, 5C080DD01
, 5C080DD30
, 5C080FF11
, 5C080JJ02
, 5C080JJ04
, 5C080JJ05
, 5C080JJ06
引用特許:
審査官引用 (3件)
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液晶表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-271345
出願人:日本電装株式会社
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強誘電性液晶パネル
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-270190
出願人:株式会社精工舎
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液晶素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-177146
出願人:キヤノン株式会社
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