特許
J-GLOBAL ID：200903056643095140

薄膜磁性体記憶装置

発明者：
日高 秀人

日高 秀人 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-347098
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151260
出願日： 2001年11月13日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：
【要約】【課題】 安定した磁化特性を有するMTJメモリセルの形状に整合して、安定的に動作する薄膜磁性体記憶装置を提供する。【解決手段】 MTJメモリセルを構成するトンネル磁気抵抗素子TMRは、磁化特性を安定化させるために、縦横比が1より大きい細長形状を有する。データ書込電流が流されるビット線BLおよびライトワード線WWLは、トンネル磁気抵抗素子TMRの短辺方向および長辺方向にそれぞれ沿って配置される。配線幅の確保が容易なビット線BLを流れるデータ書込電流は、ライトワード線WWLを流れるデータ書込電流よりも大きく設計される。たとえば、ライトワード線WWLを、ビット線BLよりもトンネル磁気抵抗素子TMRに近接して配置する。
請求項（抜粋）：
各々が、第1および第2のデータ書込電流によって発生する所定のデータ書込磁界の印加に応答して書換可能な磁化方向に応じて電気抵抗が変化する磁気記憶部を有する複数のメモリセルと、前記第1のデータ書込電流を流すために第1の方向に沿って配置される第1のデータ書込配線と、前記第2のデータ書込電流を流すために第2の方向に沿って配置される第2のデータ書込配線とを備え、前記第1のデータ書込電流は、前記第2のデータ書込電流よりも大きく、前記第1のデータ書込配線の断面積は、前記第2のデータ書込配線の断面積よりも大きい、薄膜磁性体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (5件)：
G11C 11/14 A ,  G11C 11/14 Z ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (12件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA32 ,  5F083JA35 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA07 ,  5F083LA10 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083ZA28
引用特許：
審査官引用 (1件)
  • メモリー素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-106270   出願人：松下電器産業株式会社
引用文献：
審査官引用 (3件)

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