特許
J-GLOBAL ID：200903065823197080

メモリー素子

発明者：
入江 庸介

入江 庸介 について

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榊間 博

榊間 博 について

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川分 康博

川分 康博 について

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里見 三男

里見 三男 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-106270
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306014
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 巨大磁気抵抗効果を用いたメモリー素子において素子部とワードラインより誘導される合成磁界を用いて記録・読みだし効率を向上させる。【構成】 ガラス、またはSi基板上に半硬質磁性膜21、非磁性金属膜22、軟磁性膜23保磁力の異なる人工格子膜をスパッタ、もしくは蒸着し、リソグラフィーを用いて素子部、センスライン、絶縁層25、ワードライン24を形成し、これを1ビットセルとする。情報記録時には素子部(センスライン)とワードライン24から誘導される磁界の合成磁界で半硬質磁性膜21の磁化を一方向に磁化させ記録し、読みだし時には素子部にセンス電流を流し、素子部から誘導される磁界ととワードライン24から誘導される磁界の合成磁界(軟磁性膜23だけが磁化回転するような合成磁界)を用い磁気抵抗効果が増減することにより読みだしを行う。
請求項（抜粋）：
第1磁性膜と、第2磁性膜と、該第1磁性膜と該第2磁性膜とを分離する非磁性金属膜と、センスラインとを含む素子部と、記録・読みだしを行うための磁界を該素子部に発生するワードラインと、を有するメモリー素子であって、該センスラインと該ワードラインが主に平行に位置するメモリー素子。
IPC (2件)：
G11B 5/39 ,  G11C 11/14
FI (2件)：
G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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