特許

J-GLOBAL ID：200903056643866880

雛壇形シャワーヘッド、及びそのシャワーヘッドを用いた真空処理装置

発明者： 斎藤 一也 ,  池田 佳直 ,  清水 康男 ,  森 勝彦 ,  菊池 正志 ,  黒川 邦明 ,  堀 英介 ,  石川 道夫 ,  橋本 征典
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-366426
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185491
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】大面積基板の表面を均一に処理できるシャワーヘッドを提供する。【解決手段】このシャワーヘッド112のシャワープレート118は、中央部分21aから周辺部分21cに向け、段階的に厚みが薄くなっている。各厚み部分には、複数の孔15a〜15cが設けられており、その結果、各孔15a〜15cの中央部分21aの孔15aのコンダクタンスは小さく、周辺部分21cの孔15cのコンダクタンスは大きくなっている。原料ガスの流速の大きい周辺部分21c程多量の原料ガスが供給されるから、基板14表面の原料ガスの実効的な濃度が一定になり、基板面内での処理が均一になる。

請求項（抜粋）：

ヘッド本体と、前記ヘッド本体に取り付けられ、内部に中空部分を形成させるシャワープレートと、前記シャワープレートに複数設けられた孔とを有し、前記中空部分に導入されたガスを前記各孔から噴出させるように構成されたシャワーヘッドであって、前記シャワープレートは、中央部分から周辺部分に向けて段階的に厚みが減少するように構成され、前記孔は、前記シャワープレートの各厚み部分に複数配置されたシャワーヘッド。

IPC (7件)：

H01L 21/205 ,  B01J 3/02 ,  C23C 14/00 ,  C23C 16/455 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (7件)：

H01L 21/205 ,  B01J 3/02 J ,  C23C 14/00 C ,  C23C 16/455 ,  C23F 4/00 Z ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B

Fターム (24件)：

4K029DA05 ,  4K030EA05 ,  4K057DD01 ,  4K057DG07 ,  4K057DG13 ,  4K057DM02 ,  4K057DM06 ,  4K057DM08 ,  4K057DM37 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BB13 ,  5F004BB28 ,  5F004BD04 ,  5F045AA03 ,  5F045AA08 ,  5F045BB01 ,  5F045DP03 ,  5F045EE20 ,  5F045EF05 ,  5F045EF13 ,  5F045EH13 ,  5F045EK21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-115058   出願人：富士通株式会社
• プラズマ処理装置および光学部品の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-343085   出願人：大見忠弘, キヤノン株式会社
• 処理装置とその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-005114   出願人：株式会社東芝