特許

J-GLOBAL ID：200903056656848457

半導体力学量センサとその製造方法

発明者： 大原 淳士 ,  竹内 幸裕
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-028747
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231966
出願日： 2001年02月05日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】可動電極と固定電極間の静電容量がバラツクことに起因するセンサの感度バラツキを低減する。【解決手段】シリコン基板1の上面から異方性の反応性イオンエッチングを行い、四角枠部5と梁構造体6と固定電極17a,23aを区画形成するための縦方向に延びる溝4a,4bを形成する。溝4a,4bの底面のみに電気的絶縁材料としての氷53を配置し、再び溝4a,4bに対して反応性イオンエッチングを行い、入射イオンが氷53との間の電気的反発力によって溝底面近傍で軌道を曲げ、この近傍のみで局所的に横方向に進む異方性エッチングを実現させ、溝4a,4bの底面から横方向に延びる空洞2を形成し、支持部(四角枠部+梁構造体)と梁構造体6と固定電極17a,23aとを区画形成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも半導体基板に形成した横方向に延びる空洞により区画された支持部と、前記空洞および半導体基板に形成した縦方向に延びる溝により区画され、空洞の上に位置し、前記支持部から延び、かつ、力学量により変位する可動電極を有する梁構造体と、前記空洞および溝により区画され、空洞の上に位置し、前記支持部から延び、かつ、前記梁構造体の可動電極に対向して配置された固定電極と、を備えた半導体力学量センサにおいて、前記縦方向に延びる溝と横方向に延びる空洞との交差部分に、前記空洞を形成するための反応性イオンエッチングの際に基板表面に直交する方向から入射したイオンを横方向に曲げるための部材を配したことを特徴とする半導体力学量センサ。

IPC (4件)：

H01L 29/84 ,  G01P 15/125 ,  G01P 15/13 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 29/84 Z ,  G01P 15/125 ,  G01P 15/13 ,  H01L 21/302 J

Fターム (16件)：

4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA24 ,  4M112CA25 ,  4M112CA31 ,  4M112DA03 ,  4M112EA13 ,  4M112EA14 ,  4M112EA20 ,  4M112FA20 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB25 ,  5F004DB01 ,  5F004EA23 ,  5F004EA37

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体力学量センサとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-304323   出願人：株式会社デンソー
• 特開昭58-089859
  
• 特開昭58-110678