半導体力学量センサとその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-304323
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286430
出願日： 1999年10月26日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】1枚の基板に、可動電極を有する梁構造体、および可動電極に対向配置された固定電極を作り込んだ半導体力学量センサにおいて、新規なる電気的分離構造を採用した半導体力学量センサとその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1に形成した横方向に延びる空洞2の下にベースプレート部3が区画され、空洞2および溝4a,4bにより四角枠部5と、可動電極を有する梁構造体6と、固定電極17a,23aが区画されている。固定電極17a,23aは梁構造体6の可動電極と対向配置されている。可動電極と四角枠部5との間および固定電極17a,23aと四角枠部5との間に溝20a,26aが形成され、電気的絶縁材料21a,27aが埋め込まれている。

請求項（抜粋）：

単層の半導体基板に形成した横方向に延びる空洞により区画され、当該空洞の下に位置するベースプレート部と、前記空洞および半導体基板に形成した縦方向に延びる溝により区画され、空洞および溝の横に位置する枠部と、前記空洞および溝により区画され、空洞の上に位置し、前記枠部から延び、かつ、力学量により変位する可動電極を有する梁構造体と、前記空洞および溝により区画され、空洞の上に位置し、前記枠部から延び、かつ、前記梁構造体の可動電極に対向して配置された固定電極と、前記可動電極と前記枠部との間および前記固定電極と前記枠部との間に形成され、電気的絶縁材料が埋め込まれた溝と、を備えたことを特徴とする半導体力学量センサ。

IPC (4件)：

H01L 29/84 , G01L 1/14 , G01P 15/125 , H01L 21/44

FI (4件)：

H01L 29/84 Z , G01L 1/14 K , G01P 15/125 , H01L 21/44

Fターム (25件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB18 , 4M104DD51 , 4M104DD55 , 4M104DD65 , 4M104GG20 , 4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112CA24 , 4M112CA26 , 4M112CA31 , 4M112CA34 , 4M112CA36 , 4M112DA03 , 4M112DA06 , 4M112DA08 , 4M112DA10 , 4M112DA11 , 4M112DA12 , 4M112EA03 , 4M112EA18 , 4M112FA20

引用特許：

審査官引用 (5件)

シリコンウェファー表面の微細機械加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-096170 出願人：ゼネラル・モーターズ・コーポレーション
半導体力学量センサの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-021343 出願人：株式会社デンソー
半導体力学量センサおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-021344 出願人：株式会社デンソー

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