特許
J-GLOBAL ID：200903056669911883
薄膜付きガラス基板、その製造方法およびそれを用いた半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-107825
公開番号（公開出願番号）：特開2006-282480
出願日： 2005年04月04日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：
【課題】ガラス基板上の薄膜による応力を緩和し、ガラス基板の反り量を低減し、後工程における薄膜の加工精度の向上を図り、かつ、複数個の半導体素子を有する半導体ウェハとの高精度な貼り合わせを可能にする薄膜付きガラス基板の製造方法および薄膜付きガラス基板を提供する。【解決手段】基板の反りを低減するための溝2を表面に1つ以上有するガラス基板3と、このガラス基板3の表面および溝2の内面に形成された薄膜4とを備え、前記溝2は、溝の深さ/溝底部の幅の比で表されるアスペクト比が1〜10であり、前記薄膜4は、溝内面に形成された薄膜部分の最小膜厚/ガラス基板表面に形成された薄膜部分の膜厚の比で表される段差被覆係数が0.5以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ガラス基板の表面に該基板の反りを低減するための溝を1つ以上形成する工程と、
前記溝を有するガラス基板の前記表面に薄膜を成膜する工程とを有し、
前記ガラス基板に溝を形成する工程において、溝の深さ/溝底部の幅の比で表されるアスペクト比が1〜10の溝を形成し、
前記薄膜を形成する工程において、溝の内面に形成される薄膜部分の最小膜厚/ガラス基板表面に形成される薄膜部分の膜厚の比で表される段差被覆係数が0.5以下の薄膜を形成することを特徴とする薄膜付きガラス基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
4G015FA03
, 4G015FB01
, 4M118AB01
, 4M118GC11
, 4M118HA02
, 4M118HA11
, 4M118HA23
, 4M118HA24
, 4M118HA26
, 4M118HA30
, 4M118HA31
