特許

J-GLOBAL ID：200903056675468193

半導体レーザ装置

発明者： 濱崎 浩史 ,  古山 英人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-333103
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141595
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】 光路変換用の反射鏡後部にフロントAPC用の受光素子を配置した半導体レーザ装置において、光ピックアップの光源として用いてDVD-ROMとDVD-RAMを同一の発光素子で実現するような場合、発光素子から入射する光強度が段階的に大きく変化するため、受光素子からの出力電流値が大きく変動し、APC駆動用の外部制御回路に非常に大きなダイナミックレンジが必要になるという問題があった。【解決手段】 反射鏡(半透過膜)25とその後部に配置した受光素子3との間に、可変光減衰器4を設ける事を特徴とする。さらには、反射鏡後部に配置した受光素子部に光路にほぼ垂直となる方向の溝29を設け、光学的に直列に受光素子を分割する。入射光強度が大きい場合には、前段の受光素子をオフとして光吸収層として使用し、後段の受光素子からの出力電流を用いて制御を行う。また、入射光強度が小さいときには、前後両方の受光素子を用いて制御することができる半導体レーザ装置構造を提供する。

請求項（抜粋）：

半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子からの出射光を分割する手段と、前記半導体レーザ素子の光出力をモニタする受光素子とを具備する半導体レーザ装置において、前記出射光分割手段と前記受光素子との間に可変光減衰器を挿入することを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/022 ,  H01S 5/0683

FI (2件)：

H01S 5/022 ,  H01S 5/0683

Fターム (8件)：

5F073AB21 ,  5F073AB29 ,  5F073BA05 ,  5F073FA02 ,  5F073FA13 ,  5F073FA16 ,  5F073GA02 ,  5F073GA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ制御装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-345440   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-192783