プラズマ処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：沼形義彰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-217157
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033310
出願日： 2000年07月18日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、チャージングダメージの発生を迅速に検知することにより、半導体デバイスの歩留まりを高め、高精度な表面処理が可能なプラズマ処理装置を提供することにある。【解決手段】処理室内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、前記処理室内へのガス供給装置と、被処理材を載置する基板電極と、該基板電極に接続された高周波電源とから成るプラズマ処理装置において、電極電流の5次から8次の高調波を検出する機能を有するように構成した。電極電流の5次から8次の高調波成分があらかじめ設定した値以上となった場合、装置の稼動を停止するよう制御することにより、チャージングダメージの発生を未然に防ぐことができるので、低ダメージで高精度なエッチング処理が可能であり、半導体デバイスの歩留まりを向上させることができるという効果がある。

請求項（抜粋）：

処理室内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、前記処理室内へのガス供給装置と、被処理材を載置する基板電極と、該基板電極に接続された高周波電源とから成るプラズマ処理装置において、電極電流の5次から8次の高調波を検出する機能を有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (5件)：

C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H05H 1/46 M , H05H 1/46 A , H01L 21/302 B

Fターム (30件)：

4K057DA02 , 4K057DA16 , 4K057DD03 , 4K057DD08 , 4K057DG15 , 4K057DM04 , 4K057DM18 , 4K057DM20 , 4K057DM28 , 4K057DN01 , 4K057DN02 , 5F004AA06 , 5F004BA03 , 5F004BA04 , 5F004BA13 , 5F004BA14 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004BD01 , 5F004BD04 , 5F004CA03 , 5F004CB05 , 5F045AA09 , 5F045BB16 , 5F045BB20 , 5F045EH01 , 5F045EH11 , 5F045EH12 , 5F045EH17 , 5F045GB04

引用特許：

審査官引用 (5件)

プラズマ状態検出方法及びその装置、プラズマ制御方法及びその装置並びにエッチング終点検出方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-053672 出願人：セイコーエプソン株式会社
高周波電源装置及びプラズマ発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-330663 出願人：富士通株式会社, 株式会社富士通東北エレクトロニクス
ハ-ドマスクおよびプラズマ活性化エッチャントを使用した材料のエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-256316 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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