特許
J-GLOBAL ID：200903056693134960
面発光レーザ及びその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-335832
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181384
出願日： 1994年12月21日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】 素子作製工程において、エッチング等の加工制御が容易で、かつ素子抵抗の低減が可能な面発光レーザの作製方法を提供する。【構成】 GaAs基板(10)上に、レーザ発振波長の1/4倍の光学的な厚さのn形GaAs層(11)とn形AlAs層(12)を20周期程度積層したn形半導体多層膜反射鏡(20)を形成し、その上にn形AlGaAs層(13)、アンドープのInGaAs活性層(14)、p形AlGaAs層(15)を順に集積したp-n接合構造(21)を形成する。そしてp形半導体多層膜反射鏡(22)は発振波長の1/4倍の光学的な厚さのp形AlAs層(16)と(1/4+n/2)倍の光学的な厚さのp形GaAs層(17)を形成しているものである。これにより、エッチング深さの制御が容易になり、この際n/2波長の厚みが増加しても光学的には1/4波長の場合と等価であるため反射特性には影響を及さないものである。
請求項（抜粋）：
電流注入によって光ゲインを生ずるpn接合構造の上下に、屈折率の異なる半導体を交互に積層したp形の半導体多層膜反射鏡及びn形の半導体多層膜反射鏡を設けた共振器構造を半導体基板上に形成し、エッチングによってメサを形成し、メサを覆うように電流注入用の電極を形成する面発光レーザの作製方法において、半導体基板上でエッチングされるpn接合構造の上部の半導体多層膜反射鏡を構成する交互に積層される半導体のうち、エッチング停止部分の半導体層の膜厚を目的とする発振波長の(1/4+n/2)倍(nは整数)とすることを特徴とする面発光レーザの作製方法。
引用特許：
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