特許

J-GLOBAL ID：200903056695938340

n型炭化ケイ素の電極形成方法

発明者： 上田 康博 ,  國里 竜也 ,  古賀 和幸
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-241951
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097107
出願日： 1992年09月10日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 オーミック特性、ワイヤーボンディング特性、信頼性が優れたn型SiCの電極形成方法を提供することを目的とする。【構成】 n型SiC基板1上にNi層2を形成し、熱処理してオーミック接触を得た後、上記熱処理したNi層2上にTi層3、Pd層4、及びAu層5をこの順序で形成し、熱処理する。

請求項（抜粋）：

n型SiC上にNi層を形成する工程と、該Ni層の形成後熱処理する工程と、上記熱処理したNi層上にTi層、Pd層、及びAu層をこの順序で形成する工程と、該Au層を形成後、これら積層体を熱処理する工程を含むことを特徴とするn型炭化ケイ素の電極形成方法。