特許
J-GLOBAL ID：200903056698464837
窒化物半導体素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-329878
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218065
出願日： 1997年12月16日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】分割端面の平滑性に優れ歩留まりの優れた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、基板(101)上に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)を窒化物半導体素子(110)に分割する窒化物半導体素子の製造方法である。特に、前記半導体ウエハー(100)は第1及び第2の主面を有し該第1の主面側から基板を露出させて島状窒化物半導体を形成する工程と、少なくとも該第1の主面側及び/又は第2の主面側の基板(101)に溝部(103)を形成する工程と、該溝部(103)にブレイク・ライン(104)をレーザー照射により形成する工程と、前記ブレイク・ライン(104)に沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法である。
請求項（抜粋）：
基板(101)上に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)を窒化物半導体素子(110)に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、前記半導体ウエハー(100)は第1及び第2の主面を有し該第1の主面側から基板を露出させて島状窒化物半導体を形成する工程と、少なくとも該第1の主面側及び/又は第2の主面側の基板(101)に溝部(103)を形成する工程と、該溝部(103)にブレイク・ライン(104)をレーザー照射により形成する工程と、前記ブレイク・ライン(104)に沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, H01L 33/00
, H01S 5/02
H01L 33/00 C
, H01S 5/02
, H01L 21/78 B
, H01L 21/78 L
5F041AA40
, 5F041AA41
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA75
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073DA34
, 5F073DA35
, 5F073EA29
