半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-100154
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274371
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】半導体発光素子の発光輝度及び歩留りを良くし、発光時に生じる熱を起因とする半導体層の劣化, 低寿命化を克服すること。【構成】サファイア基板1 と少なくとも窒素とガリウムを含み, 窒化ガリウム系化合物半導体のn層とp層が積層して発光素子を形成した, 窒化ガリウム系化合物半導体から成る半導体層2 とから成る半導体ウエハ100((a) 図) に対し, ダイサーによりサファイア基板1 の下面1aに溝部3 を, その底面3aとサファイア基板1 の上面1bとの間隔がほぼ100 μmとなるように形成((b)図) 。次に, スクライバーにより, 溝部3 の底面3aにスクライブライン4 を形成((c)図) 。続いて, スクライブライン4 に沿って, ローラにより荷重を加え, 半導体ウエハ100 を切断することにより, 半導体層2 の表面2aの面積がサファイア基板1 の下面1aの面積より大きい半導体チップ10を形成((d)図) 。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上に半導体層が積層形成された半導体ウエハから半導体発光素子を製造する方法であって、前記サファイア基板の下面側から、前記半導体層に達しない深さで溝部を形成する工程と、前記溝部の形成の後に、前記溝部にスクライブラインを形成する工程と、前記スクライブラインの形成の後に、前記スクライブラインに沿って前記半導体ウエハを切断する工程とから構成されたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/301

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/78 V , H01L 21/78 L

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体基板の分割方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-292713 出願人：日本ビクター株式会社
特開平4-262589
特開平1-215086

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