特許

J-GLOBAL ID：200903056704899107

半導体の補強構造

発明者： 横田 真司
出願人/特許権者： 埼玉日本電気株式会社
代理人 (1件)： 丸山 隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-112941
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307035
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 外的応力の影響を受け難く、且つ薄型化が可能な半導体の補強構造を得る。【解決手段】 半導体11を保護する保護パッケージに付随して形成されたピン12を有する半導体11と、この半導体11を保持させるための孔22が形成されたパネル21と、パネル21と半導体11の外周部へ塗布されてこの半導体11をパネル21へ固定させる熱可塑性樹脂32とを有して構成される。この構造によれば、半導体11はパネル21とピンにて保持されており、熱可塑性樹脂32を介し一体となる。このことにより、外的応力はパネル21を保持する筐体からパネル21に伝わり、パネル21が変形する際の電気接合部への応力が半導体11へ伝わることを防ぐことができる。さらに、半導体11とパネル21の電気接合部を補強する他の部品を取り付ける必要がない。このため、補強高さを低くすることができ、装置の薄型化が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体を保護する保護パッケージに付随して形成されたピンを有する半導体と、該半導体を保持させるための孔が形成されたパネルと、該パネルと前記半導体の外周部へ塗布されて該半導体を前記パネルへ固定させる熱可塑性樹脂と、を有して構成されたことを特徴とする半導体の補強構造。

IPC (3件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H05K 1/18

FI (3件)：

H01L 23/28 Z ,  H01L 21/56 E ,  H05K 1/18 A

Fターム (24件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA05 ,  4M109DB16 ,  4M109DB17 ,  4M109EA12 ,  5E336AA04 ,  5E336AA09 ,  5E336AA16 ,  5E336BB01 ,  5E336BB02 ,  5E336BC01 ,  5E336BC34 ,  5E336CC31 ,  5E336CC43 ,  5E336DD02 ,  5E336EE03 ,  5E336EE20 ,  5E336GG16 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA05 ,  5F061CB02 ,  5F061DE03

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体チップ封止剤、並びにそれを用いた封止方法及び基板補修方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-196156   出願人：富士通株式会社