特許

J-GLOBAL ID：200903056712772329

硬質炭素被膜及びその形成方法

発明者： 堂本 洋一 ,  蔵本 慶一 ,  平野 均 ,  木山 精一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-095514
公開番号（公開出願番号）：特開平9-040494
出願日： 1996年04月17日
公開日（公表日）： 1997年02月10日
要約：

【要約】【課題】 高い膜硬度を有し、かつ基板に対する密着性に優れた硬質炭素被膜を得る。【解決手段】 基板20との界面近傍部分21aにおける水素濃度が60〜40%であり、被膜の表面近傍部分21bにおける水素濃度が30〜10%であるように硬質炭素被膜21の組成をその厚み方向に変化させたことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

基板上に形成される硬質炭素被膜であって、基板との界面近傍における水素濃度が60〜40%であり、被膜の表面近傍における水素濃度が30〜10%であるように、被膜の組成をその厚み方向に変化させたことを特徴とする硬質炭素被膜。

IPC (3件)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50

FI (3件)：

C30B 29/04 B ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-294867
  
• 炭素または炭素を主成分とする被膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-197516   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平1-294867