半導体素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小西富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-103525
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284228
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】 GaN系半導体層を有する半導体素子においてGaN系の半導体層用に適した新規な基板を提供する。【解決手段】導電性窒素化合物を含む基板上にGaN系の半導体層を直接又は適当なバッファ層を介して積層する。

請求項（抜粋）：

導電性窒素化合物(GaN系の半導体を除く)を含む基板と、GaN系の半導体層と、を備えてなる半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , H01L 29/12 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01L 29/14 , H01L 29/80 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

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