III-V族化合物半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-042711
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237938
出願日： 1996年02月29日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】窒化物系III-V族化合物半導体との格子不整が極めて小さくできる基板材料を提供する。【解決手段】窒化物系III-V族化合物半導体発光素子において、結晶構造として岩塩構造をとる金属窒化物の(111)面を基板として用いることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

窒化物系III-V族化合物半導体発光素子において、結晶構造として岩塩構造をとる金属窒化物の(111)面を基板として用いてなることを特徴とするIII-V族化合物半導体装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (8件)

全件表示

前のページに戻る