特許
J-GLOBAL ID：200903056715336678

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
野口 純司

野口 純司 について

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丸山 裕之

丸山 裕之 について

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大橋 直史

大橋 直史 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-131941
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329780
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【課題】 銅を主導電層とする配線間の絶縁破壊耐性を向上させる。【解決手段】 銅を主成分とする埋込み配線の上部において電界が集中する箇所が、その周囲の絶縁膜の研磨面から離間するような埋込み配線構造とした。
請求項（抜粋）：
以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法;(a)半導体基板の主面上に第1の絶縁膜を堆積する工程、(b)前記第1の絶縁膜に配線開口部を形成する工程、(c)前記配線開口部に、前記第1の絶縁膜の上面に対して段差が生じるような上面の高さを持ち、銅を主成分として含む配線を形成する工程、(d)前記第1の絶縁膜および前記配線上に第2の絶縁膜を堆積する工程。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092
FI (2件)：
H01L 21/90 B ,  H01L 27/08 321 F
Fターム (80件)：
5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH23 ,  5F033HH27 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK03 ,  5F033KK19 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM07 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM17 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP21 ,  5F033PP22 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ78 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR15 ,  5F033RR21 ,  5F033SS03 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033VV15 ,  5F033VV16 ,  5F033XX00 ,  5F033XX31 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25
引用特許：
審査官引用 (2件)

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