特許
J-GLOBAL ID:200903056738619413
シリコン窒化膜の成膜方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青山 葆 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-112321
公開番号(公開出願番号):特開2003-309119
出願日: 2002年04月15日
公開日(公表日): 2003年10月31日
要約:
【要約】【課題】 窒化膜の成膜において、アンモニアガスの使用量を減らし、得られる窒化膜の膜厚均一性を改善する。【解決手段】 このシリコン窒化膜の成膜方法は、シランガス及びアンモニアガスを用いて触媒CVD法を用いて基板1上にシリコン窒化膜を成膜する方法であって、シランガス及びアンモニアガスに水素ガスを添加したガス5を、触媒体6に接触後、基板の上に供給する。成膜装置20は、反応室10を備える。反応室の内部には、基板1を保持する基板ホルダ2と、触媒体6を備える。反応室の外部には、シランガス、アンモニアガス及び水素ガスを貯蔵するガスタンク11〜13を備える。また、ガスタンクと反応室を接続するガス配管15と、ガス配管から上記ガスを、反応室の内部に供給するガス供給部4を備える。この製造装置では、ガス供給部から上記ガスを触媒体に接触後、基板に供給し、基板1上にシリコン窒化膜を成膜する。
請求項(抜粋):
シランガス及びアンモニアガスを用い、触媒CVD法を用いて基板上にシリコン窒化膜を成膜する方法であって、前記シランガス及びアンモニアガスに水素ガスを添加したガスを、触媒体に接触させた後、前記基板の上に供給することを特徴とするシリコン窒化膜の成膜方法。
IPC (3件):
H01L 21/318
, C23C 16/34
, H01L 21/31
FI (3件):
H01L 21/318 B
, C23C 16/34
, H01L 21/31 B
Fターム (30件):
4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030BA40
, 4K030CA04
, 4K030EA01
, 4K030FA17
, 4K030JA05
, 4K030JA06
, 4K030KA26
, 5F045AA03
, 5F045AB33
, 5F045AC01
, 5F045AC12
, 5F045BB02
, 5F045BB07
, 5F045BB20
, 5F045DP03
, 5F045DQ08
, 5F045EE12
, 5F045EJ02
, 5F045EJ10
, 5F058BA06
, 5F058BB02
, 5F058BC08
, 5F058BF02
, 5F058BF23
, 5F058BF30
, 5F058BG01
, 5F058BG02
引用特許:
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