特許
J-GLOBAL ID：200903056741966442

光起電力素子およびその製造方法

発明者：
馬場 俊明

馬場 俊明 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-335100
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101427
出願日： 2003年09月26日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】 入射光を最大限に活用できかつホールを効率良く収集できる光起電力素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 n型単結晶シリコン基板1の主面上に反射防止膜3が形成されている。n型単結晶シリコン基板1の裏面には、i型非晶質シリコン膜3が形成されており、i型非晶質シリコン膜3上に正極100および負極200が形成されている。正極100は、i型非晶質シリコン膜3上に順に形成されたp型非晶質シリコン膜5、裏面電極7および集電極9を含む。負極200は、i型非晶質シリコン膜3上に順に形成されたn型非晶質シリコン膜4、裏面電極6および集電極8を含む。裏面電極7はp型非晶質シリコン膜5の全面に形成されている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
一導電型を示す不純物を含み、一面および他面を有する結晶系半導体を備え、 前記結晶系半導体の前記一面の第1の領域に、真性の第1の非晶質系半導体膜と、一導電型を示す不純物を含む第2の非晶質系半導体膜と、第1の電極とを順に備え、 前記結晶系半導体の前記一面の第2の領域に、真性の第3の非晶質系半導体膜と、前記一導電型と異なる他導電型を示す不純物を含む第4の非晶質系半導体膜と、第2の電極とを順に備え、 前記第2の電極は、前記第4の非晶質系半導体膜上の全面を覆うように形成されたことを特徴とする光起電力素子。
IPC (1件)：
H01L31/04
FI (2件)：
H01L31/04 N ,  H01L31/04 M
Fターム (13件)：
5F051AA05 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA05 ,  5F051CA07 ,  5F051CA15 ,  5F051CA37 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA14 ,  5F051FA15
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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