特許

J-GLOBAL ID：200903056747786284

半導体装置の製造方法及び該方法により製造された半導体装置

発明者： 山本 一郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-035459
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230247
出願日： 2000年02月14日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 高誘電体絶縁膜の形成時に酸化性ガスが存在していてもシリコン基板が酸化されることなく、シリコン基板上に直接に高誘電体絶縁膜を形成する。【解決手段】 開示される半導体装置の製造方法は、シリコン基板1を反応容器6内に搬入した後、この反応容器6内に金属酸化物を構成するZr金属を含んだ有機金属原料13、酸化剤である酸素ガス17及び還元作用を有する原料であるTHF18のガスを導入し、反応容器6内で化学反応を生じさせてシリコン基板1上にZrO2膜4から成る高誘電体ゲート絶縁膜4Aを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された金属酸化物から成る高誘電体ゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板を反応容器内に搬入した後、該反応容器内に前記金属酸化物を構成する金属を含んだ有機金属原料、酸化剤及び還元作用を有する原料を導入し、前記反応容器内で化学反応を生じさせて前記半導体基板上に前記所望の金属の酸化物から成る高誘電体ゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (41件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA46 ,  4K030CA04 ,  4K030DA08 ,  4K030FA03 ,  4K030JA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F040DA00 ,  5F040DB01 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040ED03 ,  5F040EH02 ,  5F040EK01 ,  5F040EK05 ,  5F040FA03 ,  5F040FA05 ,  5F040FA19 ,  5F040FB02 ,  5F040FB04 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB11 ,  5F048BC06 ,  5F048BG12 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BC20 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 液体原料用CVD装置、および液体原料を用いたCVDプロセスと、その液体原料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-057359   出願人：三菱電機株式会社
• 高誘電酸化膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-334552   出願人：ソニー株式会社