特許

J-GLOBAL ID：200903056748978519

半導体装置及びその製造方法

発明者： 及川 洋一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-047839
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235666
出願日： 1994年02月22日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】 ゲート・ソース間の容量を低減して高周波特性を向上し、かつT字型ゲート電極の力学的強度を向上した化合物半導体装置であり、この半導体装置をリセスとゲート電極をセルフアラインでかつ、ゲート長を制御よく形成する。【構成】 GaAs基板上にSiO2(5)からなる開口部を形成した後、SiO2(5)をマスクとしてリセスを形成する。ポリイミドを塗布した後、全面をエッチバックして、SiO2及びSiO2下のポリイミド(7)のみを残す。このSiO2及びポリイミドからなる開口部にWSi膜(8)TiN・Pt・Au膜(9)のゲート電極を形成し、SiO2(5)を全て除去し、ソース電極(11)ドレイン電極(12)を形成して半導体装置を製造する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、ソース、ドレイン、及びゲートの各電極を設けた化合物半導体装置において、リセス構造を有し、前記ゲート電極部以外の前記リセス内にポリイミドまたは酸化膜を有し、前記ポリイミドまたは前記酸化膜は前記ゲート電極の頭部に接触しないことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/80 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-186640
  
• 特開昭63-287071
  
• 特開昭63-287072
  
• 電界効果トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-012722   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭63-213372