特許
J-GLOBAL ID：200903056760675327
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-229311
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067793
出願日： 1997年08月26日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ソースおよびドレイン抵抗の抽出を緩和するために、理想化係数がゲート長で増加しない化合物半導体電界効果トランジスタを作り出すこと。【解決手段】 3つの構造の少なくとも1つが、電流密度を減少するためにゲートエッジで導入される:1)電界強度を減少するためにショットキー界面とゲート電極側壁との間に鈍角をもつゲート電極14、2)電界強度を減少するためにゲートエッジの下のp型領域、3)ゲートエッジの下の大きい障壁高さをもつ領域。
請求項（抜粋）：
ショットキーゲート電極がソースおよびドレインオーミック電極間に置かれた半導体基板を有する電界効果トンラジスタにおいて、前記ゲート電極のショットキー界面と前記ゲート電極の金属の1つ以上の側壁との間の角度が90°より大きいことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/872
H01L 29/80 F
, H01L 29/48 Z
