特許
J-GLOBAL ID:200903056767923334
積層セラミック電子部品の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
北條 和由
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-227129
公開番号(公開出願番号):特開2001-076963
出願日: 1999年08月11日
公開日(公表日): 2001年03月23日
要約:
【要約】【課題】 焼成時にセラミック積層体から発生する有機物の分解ガスの影響を受けず、焼成炉内の雰囲気を安定に保つ。【解決手段】 内部でセラミック層7と内部電極5、6とが複数層ずつ交互に積層された未焼成のセラミック積層体3を焼成する工程を有する。この焼成工程において、単位時間に焼成炉内に搬送されるセラミック積層体3の有機物量に対する雰囲気ガスの流量の比が200L/gから1200L/g、好ましくは300L/gから900L/gになるよう焼成炉21内に雰囲気ガスを流しながら、同焼成炉21内でセラミック積層体13を焼成する
請求項(抜粋):
内部でセラミック層(7)と内部電極(5)、(6)とが複数層ずつ交互に積層された未焼成のセラミック積層体(3)を焼成する工程を有する積層セラミック電子部品の製造方法において、単位時間に焼成炉内に搬送される未焼成のセラミック積層体(3)の有機物量に対する雰囲気ガスの流量の比が200L/gから1200L/gになるよう焼成炉(21)内に雰囲気ガスを流しながら、同焼成炉(21)内でセラミック積層体(3)を焼成することを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
IPC (2件):
H01G 4/30 311
, H01G 4/12 364
FI (2件):
H01G 4/30 311 F
, H01G 4/12 364
Fターム (21件):
5E001AB03
, 5E001AH08
, 5E001AH09
, 5E001AJ01
, 5E001AJ02
, 5E082AB03
, 5E082BC38
, 5E082EE04
, 5E082EE35
, 5E082FG06
, 5E082FG26
, 5E082FG54
, 5E082GG10
, 5E082GG26
, 5E082JJ03
, 5E082JJ23
, 5E082LL01
, 5E082LL03
, 5E082MM11
, 5E082MM24
, 5E082PP10
引用特許:
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