特許
J-GLOBAL ID：200903056777641876
低α線錫合金の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
深井 敏和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-038661
公開番号（公開出願番号）：特開2004-244711
出願日： 2003年02月17日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】α線量が低減され、電子部品のはんだ付け材料などに好適な錫合金を簡単にかつ安価に製造する方法を提供することである。【解決手段】不純物として鉛を含む錫粉末と、例えば銀、銅などのような鉛よりもイオン化傾向が小さい金属の塩または錯体とを含有する組成物を加熱して低α線錫合金を析出させる低α線錫合金の製造方法である。これにより得られる錫合金をはんだ材料に適用する場合には、半導体などのメモリーエラーを抑制し、電子部品の信頼性を向上させることができる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
不純物として鉛を含む錫粉末と、鉛よりもイオン化傾向が小さい金属の塩または錯体とを含有する組成物を加熱して低α線錫合金を析出させることを特徴とする低α線錫合金の製造方法。
IPC (5件)：
C22B25/08
, B23K35/26
, B23K35/40
, C22B3/46
, H05K3/34
C22B25/08
, B23K35/26 310A
, B23K35/40 340Z
, H05K3/34 512C
, C22B3/00 U
4K001AA24
, 4K001BA23
, 4K001DB18
, 5E319BB01
, 5E319GG03
, 5E319GG20
