特許
J-GLOBAL ID：200903056790100825
回折光を使用した基板検査方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 正悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-054687
公開番号（公開出願番号）：特開平9-329555
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェファ、又は、基板表面上に形成された他の類似の3次元周期的パターンに於ける欠陥を、光の回折により検出する。【解決手段】 ウェファ全面を照明するために、面光源から単色入射光が供給される。自動画像処理技術の使用により、ウェファのマクロ検査が自動化される。面光源により、異なる角度の光がウェファ表面の各点に入射でき、単一の視野でウェファ全面の欠陥検出が可能となり、検査時間が低減される。単色入射光の特定の波長は、ウェファ上の周期的パターンに於ける欠陥の最適検出を可能にするように、事前に決定されるが、その波長は、周期的パターンのフィーチャーの幅とピッチに依存する。
請求項（抜粋）：
表面に周期的な構造を持つフィーチャーを有する基板における表面欠陥を検査する方法に於いて:前記基板の前記表面上に、入射光を当てるステップ;前記基板の前記表面からの回折光を検知するステップ;前記回折光の回折効率を、既知の回折効率と比較するステップ;及び前記比較された効率から、前記基板上の前記フィーチャーにある局部的欠陥の有無を判定するステップとから成ることを、特徴とする回折光を使用した基板検査方法。
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
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欠陥検出装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-208886
出願人：オリンパス光学工業株式会社
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