特許

J-GLOBAL ID：200903056845432512

多結晶シリコン層の製造方法

発明者： 矢野 健作
出願人/特許権者： 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社
代理人 (3件)： 樺澤 襄 ,  樺澤 聡 ,  山田 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-003777
公開番号（公開出願番号）：特開2007-188953
出願日： 2006年01月11日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：

【課題】移動度を大きくできる多結晶シリコン層の製造方法を提供する。【解決手段】アモルファスシリコン層上にアモルファス酸化シリコン層が積層された被処理基板を形成する。アモルファス酸化シリコン層を真空雰囲気中で脱水素処理して水素分子を遊離させる。アモルファス酸化シリコン層の脱水素処理の際に表面が酸化されず自然酸化膜が形成されない。アモルファス酸化シリコン層をフッ酸洗浄して表面の自然酸化膜を除去する必要がない。表面に自然酸化膜が存在しない状態でアモルファス酸化シリコン層をエキシマレーザアニールできる。薄膜トランジスタの活性層として使用可能な移動度が大きなポリシリコン層となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に非晶質シリコン層を形成し、 前記絶縁基板上に形成した前記非晶質シリコン層上に非晶質酸化シリコン層を形成し、 前記絶縁基板上の前記非晶質シリコン層上に形成した前記非晶質酸化シリコン層中の水素分子を真空雰囲気で遊離させ、 この水素分子が遊離された非晶質酸化シリコン層および前記非晶質シリコン層のそれぞれをレーザアニールして結晶化させて多結晶シリコン層にする ことを特徴とする多結晶シリコン層の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L21/20 ,  H01L21/02 Z ,  H01L21/268 F ,  H01L29/78 627G

Fターム (36件)：

5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110PP13 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ09 ,  5F152AA06 ,  5F152AA08 ,  5F152AA13 ,  5F152AA15 ,  5F152AA20 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CE05 ,  5F152CE12 ,  5F152CE24 ,  5F152CE45 ,  5F152CE48 ,  5F152CF13 ,  5F152CF19 ,  5F152CF23 ,  5F152EE16 ,  5F152FF03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-266139   出願人：株式会社東芝