特許
J-GLOBAL ID：200903015562244134

多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
河 村 真 一

河 村 真 一 について

, 
藤 村 尚

藤 村 尚 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-266139
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017505
出願日： 2001年09月03日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：
【要約】【課題】 高性能な多結晶シリコン薄膜トランジスタを高い生産性、および高い歩留まりで得ることができる多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に成膜された、2×1020/cm3以上1×1021/cm3以下の濃度の酸素が添加された非晶質シリコン層、または1×1015/cm2以上1×1016/cm2以下の単位面積あたりの総量の酸素が添加された非晶質シリコン層、に真空雰囲気中あるいは不活性ガス雰囲気中でエネルギービームを照射して、活性層として用いる多結晶シリコン層を形成する工程を備えることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
酸素が添加された非晶質シリコン層を基板上に形成する工程と、前記非晶質シリコン層に真空雰囲気中あるいは不活性ガス雰囲気中でエネルギービームを照射して多結晶シリコン層を形成する工程と、前記多結晶シリコン層を活性層とする薄膜トランジスタを形成する工程と、を有することを特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 618 A
Fターム (57件)：
5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AF07 ,  5F045BB09 ,  5F045CA15 ,  5F045DA58 ,  5F045DA59 ,  5F045EE14 ,  5F045HA13 ,  5F045HA15 ,  5F045HA16 ,  5F045HA18 ,  5F045HA20 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA08 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA15 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD15 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG36 ,  5F110GG45 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL06 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110PP13 ,  5F110PP31 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11
引用特許：
審査官引用 (7件)
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