特許
J-GLOBAL ID:200903056863352283

LED素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-055675
公開番号(公開出願番号):特開2003-258294
出願日: 2002年03月01日
公開日(公表日): 2003年09月12日
要約:
【要約】【課題】 良好な歩留まりで製造できて、光通信用に好適なLED素子を提供すること。【解決手段】 P型GaAs基板1上に、P型GaAlAsクラッド層2と、P型GaAlAs活性層3と、N型GaAlAsクラッド層4とを順に備え、さらに、平面において略円形のN側電極5を備える。幅方向両側には、N型クラッド層4表面から、P型活性層3、P型クラッド層2、およびP型基板の上部に達するメサエッチングを施している。P型活性層3とN型クラッド層4との接合面であるPN接合面は、面積を0.053mm2以上0.058mm2以下に形成したので、光出力ILが約20.5μA以上約23.3μA以下になると共に、応答特性Twが約-3.5ns以上約-3.0ns以下になる。したがって、通信用のLED素子の良品基準を容易に満たすことができる。
請求項(抜粋):
半導体基板上に、順に、第1導電型クラッド層と、活性層と、第2導電型クラッド層とを備えたLED素子において、上記活性層と第2導電型クラッド層との接合面積が、0.053mm2以上0.058mm2以下であることを特徴とするLED素子。
FI (2件):
H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 E
Fターム (8件):
5F041AA02 ,  5F041CA04 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA63 ,  5F041CA74 ,  5F041CA93 ,  5F041CB11
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 半絶縁性面発光素子
    公報種別:公表公報   出願番号:特願平8-505011   出願人:ザウィタカーコーポレーション
  • 特開平4-159784
  • 特開平4-159784

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