特許
J-GLOBAL ID：200903006271625174
半絶縁性面発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日本エー・エム・ピー株式会社
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-505011
公開番号（公開出願番号）：特表平10-505947
出願日： 1995年06月08日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：
【要約】発光素子にはより広い変調周波数帯を有するべくより速いスイッチング速度が要求される。従来の半導体ヘテロ接合素子に関る寄生容量の問題は半絶縁性層及び導電性基板を使用することとともにpn接合を小さくすることによって減らされる。バイアス電流対光出力の非線形性は素子に半絶縁性の層及び導電層を使用して熱分散の構成をとることによって改善される。
請求項（抜粋）：
(a)頂面、底面及び両者間に選択された厚さを有する導電性の基板; (b)前記基板の前記頂面上に配設され、半導体光学活性材料よりなる第1層、該第1層の頂側に配設される半導体材料からなる第2層、及び該第2層の頂側に配設される半導体材料よりなる第3層を有するメサ; (c)前記基板の前記頂面上に配設され、前記メサを略包囲する半絶縁性の層;及び (d)前記メサの頂側に配設され前記メサと電気的に接触する接触材料層にして、前記活性層から光を発生せしめるよう電流が前記接触材料と前記基板の間に流れるようにされる前記接触材料層を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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