特許
J-GLOBAL ID：200903056924400995
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-046115
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254651
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】この発明は、素子分離領域を縮小してチップサイズの縮小並びに高集積化を図れる半導体集積回路装置を提供することを目的とする。【構成】半導体基板31の表面には、複数本平行にトレンチ33が形成されている。これらトレンチ33の底部及びトレンチ33間の各凸部にそれぞれ、半導体素子が形成されている。上記各半導体素子を上記トレンチ33の深さ方向に離隔することによって素子分離を行うことを特徴としている。半導体素子を、トレンチ33の深さ方向、換言すれば半導体基体31の表面と垂直な方向に離隔することによって電気的に分離するので、パターン平面上での素子分離のための領域の幅を縮小でき、チップサイズの縮小並びに高集積化が図れる。
請求項（抜粋）：
半導体基体と、上記半導体基体の表面に複数本平行に形成された溝と、この溝の底部及び溝間の凸部にそれぞれ形成された半導体素子とを具備し、上記各半導体素子を上記溝の深さ方向に離隔することによって素子分離を行うことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 21/76
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 21/76 M
, H01L 27/10 434
