特許
J-GLOBAL ID：200903056952753941

薄膜の製造方法及びこれに用いられる化学気相成長用原料組成物

発明者：
小野沢 和久

小野沢 和久 について

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芳仲 篤也

芳仲 篤也 について

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山田 直樹

山田 直樹 について

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佐藤 宏樹

佐藤 宏樹 について

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田中 伸一

田中 伸一 について


出願人/特許権者：
旭電化工業株式会社

旭電化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 羽鳥 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-265816
公開番号（公開出願番号）：特開2004-100007
出願日： 2002年09月11日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】特定の珪素化合物を用いた、組成制御性が良好な、珪素を含有する複合酸化物薄膜(シリケート系薄膜)の化学気相成長法による製造方法を提供すること。【解決手段】珪素供給源化合物及び他の金属供給源化合物を用いて、珪素及び他の金属原子を含有してなる複合酸化物薄膜を、化学気相成長法により製造する方法において、上記珪素供給源化合物として、下記一般式(I)で表される珪素化合物を用い、(A)チタニウム、ジルコニウム若しくはハフニウムを含有する複合酸化物薄膜、(B)ビスマスを含有する複合酸物薄膜、(C)アルミニウムを含有する複合酸化物薄膜、又は(D)希土類原子を含有する複合酸化物薄膜を製造する薄膜の製造方法。【化1】【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
珪素供給源化合物及び他の金属供給源化合物を用いて、珪素及び他の金属原子を含有してなる複合酸化物薄膜を、化学気相成長法により製造する方法において、上記珪素供給源化合物として、下記一般式(I)で表される珪素化合物を用い、(A)チタニウム、ジルコニウム若しくはハフニウムを含有する複合酸化物薄膜、(B)ビスマスを含有する複合酸化物薄膜、(C)アルミニウムを含有する複合酸化物薄膜、又は(D)希土類原子を含有する複合酸化物薄膜を製造する薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
C23C16/30 ,  C23C16/18 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316
FI (4件)：
C23C16/30 ,  C23C16/18 ,  H01L21/312 A ,  H01L21/316 X
Fターム (24件)：
4H049VN01 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ20 ,  4H049VR44 ,  4H049VS12 ,  4H049VU25 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA04 ,  4K030BA10 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA35 ,  4K030BA42 ,  4K030BA48 ,  4K030BA59 ,  4K030LA00 ,  5F058BA20 ,  5F058BC01 ,  5F058BC02 ,  5F058BF02 ,  5F058BF22 ,  5F058BF27
引用特許：
審査官引用 (3件)

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