高誘電率材料のための酸化ジルコニウム及び酸化ハフニウムを形成する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-330845
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246388
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】集積回路デバイスの製造において金属酸化物高誘電率層を形成する新規な方法を提供する。【解決手段】基板を提供する。化学気相成長チャンバ中で、前駆物質を酸化体ガスと反応させることによって、基板上に金属酸化物層を堆積させる。該金属酸化物層は、酸化ハフニウム又は酸化ジルコニウムを含んでいても良い。該前駆物質は、金属アルコキシド、ハロゲンを含む金属アルコキシド、金属β-ジケトネート、金属弗化β-ジケトネート、金属オキソ酸、金属アセテート、又は金属アルケンを含んでいても良い。該金属酸化物層をアニールして稠密化し、集積回路デバイスの製造における金属酸化物誘電体層の形成を完了する。複合金属酸化物・酸化シリコン(MO2-SiO2)高誘電率層を、金属テトラシロキサンを含む前駆物質を用いて堆積させても良い。

請求項（抜粋）：

集積回路デバイスの製造において金属酸化物誘電体層を形成する方法であって、該方法が、基板を提供する工程;化学気相成長チャンバ中において、金属アルコキシド、ハロゲンを含む金属アルコキシド、金属β-ジケトネート、金属弗化β-ジケトネート、金属オキソ酸、金属アセテート及び金属アルケンから成る群の1つを含む前駆物質を、酸化体ガスと反応させることによって該基板上に金属酸化物層を堆積させる工程;及び該金属酸化物層をアニールして、稠密化し、該集積回路デバイスの製造における該金属酸化物誘電体層の形成を完了させる工程を含む前記方法。

IPC (7件)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , H01L 21/336 , H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (6件)：

H01L 21/316 X , C23C 16/40 , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 617 V , H01L 27/10 651 , H01L 27/10 625 B

Fターム (66件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA17 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030BA44 , 4K030BB12 , 4K030CA02 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030JA06 , 4K030LA15 , 5F058BA11 , 5F058BB06 , 5F058BC03 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BF02 , 5F058BH03 , 5F058BH07 , 5F083AD16 , 5F083AD60 , 5F083JA02 , 5F083JA03 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F110AA16 , 5F110BB06 , 5F110CC02 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110EE31 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF06 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110HM15 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110NN66 , 5F140AA40 , 5F140AC32 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BD16 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BH15 , 5F140BK02 , 5F140CB01 , 5F140CB04

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭64-050428
半導体装置の絶縁膜処理法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-242239 出願人：日本電気株式会社
特開昭64-050428

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