特許

J-GLOBAL ID：200903056995586860

電子装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  寺本 聡
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-205417
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032202
出願日： 1996年07月16日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【目的】 アルミニウムを配線に用いた装置において、ヒロックやウィスカーの発生による影響を防止する。【構成】 アルミニウムゲイト106の上面に窒化珪素膜107を設け、側面に陽極酸化膜108、109を設ける。こうすることで、ヒロックやウィスカーの発生を抑制するとともに、コンタクトの形成し易い構造とする。また、アルミニウム中の酸素、炭素、窒素の濃度を所定の濃度以下とすることにより、ヒロックやウィスカーの発生を抑制する。

請求項（抜粋）：

アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とするパターンを有し、前記アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする膜中における酸素原子の濃度が8×1018個cm-3以下であり、かつ炭素原子の濃度が5×1018個cm-3以下であり、かつ窒素原子の濃度が7×1017個cm-3以下であることを特徴とする電子装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (8件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/285 S ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 617 W ,  H01L 29/78 627 B ,  H01L 29/78 627 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-014227
  
• 特開昭63-076321
  
• 特開平1-228175
  
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-012263   出願人：セイコーエプソン株式会社