特許
J-GLOBAL ID：200903057015517546
ケイ素系ポリマーの放射線照射によるセラミック微小成型体の製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
社本 一夫
, 増井 忠弐
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
, 桜井 周矩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-208130
公開番号（公開出願番号）：特開2004-051389
出願日： 2002年07月17日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】高耐熱、高強度、低反応性材料として、ケイ素系ポリマーから合成されたSiC繊維がすでに実用化され、これを強化繊維として用いたSiC繊維強化SiC複合材料も盛んに研究されている。しかし、数ミクロン〜数百ミクロンのセラミック微小成型体を製造する方法は確立されていないのが現状である。【解決手段】有機ケイ素ポリマーを電離放射線により架橋した後、これを不活性ガス中で焼成することにより、架橋させたケイ素系ポリマーからなる数ミクロン〜数百ミクロンのセラミック微小成型体を作製する。又、電離放射線により架橋したケイ素ポリマー成型体をアンモニアガス中で焼成することにより窒化ケイ素微小成型体も作製する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
有機ケイ素ポリマーを電離放射線により架橋した後、これを不活性ガス中で焼成することにより、架橋させたケイ素系ポリマーからなるセラミック微小成型体を作製する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C04B35/56 101M
, C04B35/58 102N
4G001BA77
, 4G001BB22
, 4G001BB32
, 4G001BC22
, 4G001BC47
, 4G001BC48
, 4G001BC54
, 4G001BD13
, 4G001BE31
