特許

J-GLOBAL ID：200903057016278294

測定方法及び装置並びに半導体装置の製造方法

発明者： 菊地 純 ,  黒崎 亮 ,  藤村 修三 ,  芹沢 晴彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-046951
公開番号（公開出願番号）：特開平8-145811
出願日： 1995年03月07日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】 被測定物にレーザ光を照射して、被測定物体の物理量を測定する測定方法及び装置に関し、簡単な装置構成により実現でき、物理量の変化方向を詳細に測定することができる測定方法及び装置を提供する。【構成】 被測定物にパルス状のレーザ光を照射し、パルス状のレーザ光の立ち上がり直後に発振される第1の波長を有する第1のレーザ光と、それ以後に発振される第2の波長を有する第2のレーザ光とを用い、第1のレーザ光の反射光又は透過光による第1の干渉光の強度と、第2のレーザ光の反射光又は透過光による第2の干渉光の強度の差に基づいて、被測定物の温度とともに温度が上昇中か下降中かを判断する。

請求項（抜粋）：

被測定物にレーザ光を照射して、前記被測定物の物理量を測定する測定方法において、前記被測定物にパルス状のレーザ光を照射し、前記パルス状のレーザ光の立ち上がり後に発振される第1の波長を有する第1のレーザ光と、それ以後に発振される前記第1の波長と異なる第2の波長を有する第2のレーザ光とを用いて前記被測定物の物理量を測定することを特徴とする測定方法。

IPC (3件)：

G01K 11/12 ,  G01J 5/08 ,  H01L 21/66

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 基板温度の測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-048141   出願人：富士通株式会社