特許

J-GLOBAL ID：200903057028278893

気相成長用サセプター及びその製造方法

発明者： 平野 博之
出願人/特許権者： 東洋炭素株式会社
代理人 (1件)： 梶 良之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-322732
公開番号（公開出願番号）：特開平11-157989
出願日： 1997年11月25日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：

【要約】【課題】 Siウェハの抵抗異常のバラツキを極力小さくすると共に、ノンドープ不良の発生を回避し、さらにSiC膜のピンホール発生を十分に抑制し延命化された新規かつ有用な気相成長用サセプターを提供する。【解決手段】 本発明の気相成長用サセプターは、黒鉛基材の表面にCVD法により炭化ケイ素膜が被覆された気相成長用サセプターにおいて、前記黒鉛基材と前記SiC膜との界面及び前記SiC膜の表面を純化処理したもの(好ましくは表面の不純物量がすべての元素において1×1011atoms /cm2 以下)である。本発明の製造方法は、黒鉛基材表面に複数回のコーティングで所定厚みのSiC膜を形成する際に、各コーティングの開始前と終了後に被コーティング表面の純化処理を行う(好ましくは同一のCVD炉内でハロゲンを含む高温ガスにより乾式洗浄する)ものである。

請求項（抜粋）：

黒鉛基材の表面にCVD法により炭化ケイ素膜が被覆された気相成長用サセプターにおいて、前記黒鉛基材と前記炭化ケイ素との界面及び前記炭化ケイ素膜の表面が純化処理されてなることを特徴とする気相成長用サセプター。

IPC (3件)：

C30B 25/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68

FI (3件)：

C30B 25/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体用処理部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-180439   出願人：東芝セラミツクス株式会社
• 化学蒸着法及びサセプター
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-109920   出願人：東洋炭素株式会社
• 特開昭58-084181
  
• 特開昭58-084181