絶縁膜の平坦化方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-174165
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008007
出願日： 1995年06月16日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】従来のエッチバック法による平坦化方法に比べてウェハ面全面にわたりより一層均一に絶縁膜を平坦化できる方法を提供する。【構成】本発明方法は、基板20上のAl 配線層22上に層間絶縁膜24を形成する。次いで、層間絶縁膜上に第1層レジスト膜26を形成する。その際、Al 配線層間の層間絶縁膜の凹部状領域28では、第1層レジスト膜の表面が、凸部状領域30の層間絶縁膜の表面とほぼ同じ位置に来るように第1層レジスト膜を形成する。Al 配線層間の層間絶縁膜の凹部状領域を埋めるような形状の第1層レジスト膜のパターンを形成する。基板全面に第2層レジスト膜32を平坦に形成する。凸部領域の層間絶縁膜が露出するまで、レジスト膜をエッチバックする。凸部領域の層間絶縁膜及び凹部状領域のレジスト膜を同時にエッチバックする。凹部状領域に残存するレジスト膜を除去した後、基板全面に層間絶縁膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された配線層上に絶縁膜を成膜する工程と、配線層と配線層との間の絶縁膜の凹部状領域では、第1層レジスト膜の表面が、配線層上の凸部状領域の絶縁膜の表面と同じ位置に来るように、絶縁膜上に第1層レジスト膜を形成する工程と、配線層と配線層との間の絶縁膜の凹部状領域を埋めるような形状のパターンを形成するように第1層レジスト膜をパターニングする工程と、基板面全面に第2層レジスト膜を平坦に形成する工程と、凸部状領域の絶縁膜が露出するまで、基板全面にわたり第2層レジスト膜をエッチバックする工程と、更に、絶縁膜の凹部状領域上のレジスト膜及び露出した凸部状領域の絶縁膜を基板面に直交する方向に所定深さまで平坦にエッチバックする工程と、絶縁膜の凹部状領域に残存するレジスト膜を除去する工程と、及び絶縁膜が配線層上の凸部状領域で所定の膜厚になるように、基板面全面に第2層目の絶縁膜を平坦に成膜する工程とを備えることを特徴とする絶縁膜の平坦化方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/302 L , H01L 21/302 F , H01L 21/302 H , H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-104221
エッチバック方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-078478 出願人：ソニー株式会社
特開平4-359544

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