半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-325465
公開番号（公開出願番号）：特開2000-151385
出願日： 1998年11月16日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】電源電圧が低下しても、スイッチ動作速度の劣化を抑制でき、かつ電源電圧がしきい値電圧程度まで下がっても、動作可能なレベルシフト回路を提供すること。【解決手段】ソースに昇圧電位VPPが印加されるPチャネル型トランジスタQP1と、ソースに昇圧電位VPPが印加され、ゲートがトランジスタQP1のドレインに接続され、ドレインがトランジスタQP1のゲートに接続されるPチャネル型トランジスタQP2と、ドレインがトランジスタQP1のドレインに接続され、ゲートにインバータI1の出力が入力され、ソースにインバータI1の出力を反転させるインバータI2の出力が入力される、しきい値電圧が0V程度とされたNチャネル型トランジスタQNI1とを具備する。

請求項（抜粋）：

ソースに第一電位が印加される第一伝導型の第一トランジスタと、ソースに第一電位が印加され、ゲートが前記第一トランジスタのドレインに接続され、ドレインが前記第一トランジスタのゲートに接続される第一伝導型の第二トランジスタと、ドレインに前記第一トランジスタのドレインからの電位を受け、ゲートに第一信号が入力され、ソースに第二信号が入力される第二伝導型の第三トランジスタとを具備することを特徴とする半導体集積回路装置。

Fターム (13件)：

5J056AA00 , 5J056AA03 , 5J056AA11 , 5J056BB10 , 5J056BB40 , 5J056CC21 , 5J056DD13 , 5J056DD18 , 5J056DD28 , 5J056EE07 , 5J056FF08 , 5J056GG09 , 5J056HH04

引用特許：

審査官引用 (5件)

レベルシフト回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-284803 出願人：富士通株式会社
電圧変換器
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-002682 出願人：日鉄セミコンダクター株式会社, ユナイテッドメモリーズインコーポレイテッド
レベルシフタ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-000998 出願人：沖電気工業株式会社

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