特許
J-GLOBAL ID:200903057080160035
ジフルオロメチルエーテル誘導体およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
高木 千嘉 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-241997
公開番号(公開出願番号):特開2002-053513
出願日: 2000年08月10日
公開日(公表日): 2002年02月19日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 液晶材料用に好適なジフルオロメチルエーテル誘導体、その製造方法、それを含む液晶組成物およびその液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供する。【解決手段】 一般式1dのジフルオロメチルエーテル誘導体、および一般式1aのα,α-ジフルオロシクロヘキシリデン誘導体を出発原料とするその製造方法。(R1とR2は水素、ハロゲン、シアノ基、C1〜20のアルキル基であり、基中の1個以上の-CH2-は-O-、-S-、-CH=CH-、-C≡C-に置換されてもよいが、-O-が連続せず、基中の任意の水素はフッ素で置換されてもよく;環A1〜A4は独立して-CH2-が-O-、-S-で置換されてもよい1,4-シクロヘキシレン基、=CH-が=N-で置換されてもよく、環の1個以上の水素がフッ素、シアノ基またはC1〜10のアルキル基で置換されてもよい1,4-フェニレン基であり;Z1〜Z4は独立して単結合、C1〜4のアルキレンであり、基中の1個以上の-CH2-と任意の水素はR1とR2のアルキル基と同様に置換されてもよく;Y1〜Y4は独立して水素、ハロゲン、シアノ基またはC1〜10のアルキル基であり;k〜nは独立して0または1である。)
請求項(抜粋):
【化1】(式中R1は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素数1〜20のアルキル基であり、基中の1個以上の-CH2-は-O-、-S-、-CH=CH-、-C≡C-に置換されていても良いが、-O-が連続することはなく、また基中の任意の水素はフッ素で置換されていても良く;環A1および環A2はそれぞれ独立して、1以上の-CH2-が-O-、-S-で置換されていても良い1,4-シクロヘキシレン基、1以上の=CH-が=N-で置換されていても良く、環の1個以上の水素がフッ素、シアノ基または炭素数1〜10のアルキル基で置換されていても良い1,4-フェニレン基であり;Z1およびZ2はそれぞれ独立して、単結合、炭素数1〜4のアルキレンであり、基中の1個以上の-CH2-は-O-、-S-、-CH=CH-、-C≡C-に置換されていても良いが、-O-が連続することはなく、また基中の任意の水素はフッ素で置換されていても良く;kおよびlはそれぞれ独立して0または1である)として表されるα,α-ジフルオロシクロヘキシリデン誘導体を出発原料とする、化合物(1d)(式中R1、環A1、環A2、Z1、Z2、kおよびlは前記と同一の意味を表し、R2は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素数1〜20のアルキル基であり、基中の1個以上の-CH2-は-O-、-S-、-CH=CH-、-C≡C-に置換されていても良いが、-O-が連続することはなく、また基中の任意の水素はフッ素で置換されていても良く;環A3および環A4はそれぞれ独立して、1以上の-CH2-が-O-、-S-で置換されていても良い1,4-シクロヘキシレン基、1以上の=CH-が=N-で置換されていても良く、環の1個以上の水素がフッ素、シアノ基または炭素数1〜10のアルキル基で置換されていても良い1,4-フェニレン基であり;Z3およびZ4はそれぞれ独立して、単結合、炭素数1〜4のアルキレンであり、基中の1個以上の-CH2-は-O-、-S-、-CH=CH-、-C≡C-に置換されていても良いが、-O-が連続することはなく、また基中の任意の水素はフッ素で置換されていても良く;Y1、Y2、Y3およびY4はそれぞれ独立して、水素、ハロゲン、シアノ基または炭素数1〜10のアルキル基であり;mおよびnはそれぞれ独立して、0または1である)として表されるジフルオロメチルエーテル誘導体の製造方法。
IPC (17件):
C07C 41/20
, C07C 43/225
, C07C253/30
, C07C255/54
, C07D239/26
, C07D239/34
, C07D309/06
, C07D319/06
, C07D335/02
, C07D339/08
, C09K 19/12
, C09K 19/14
, C09K 19/20
, C09K 19/30
, C09K 19/34
, G02F 1/13 500
, C07B 61/00 300
FI (18件):
C07C 41/20
, C07C 43/225 C
, C07C 43/225 D
, C07C253/30
, C07C255/54
, C07D239/26
, C07D239/34
, C07D309/06
, C07D319/06
, C07D335/02
, C07D339/08
, C09K 19/12
, C09K 19/14
, C09K 19/20
, C09K 19/30
, C09K 19/34
, G02F 1/13 500
, C07B 61/00 300
Fターム (55件):
4C022GA04
, 4C023JA01
, 4C023PA03
, 4C062AA06
, 4H006AA01
, 4H006AA02
, 4H006AA03
, 4H006AB64
, 4H006AC11
, 4H006AC30
, 4H006AC43
, 4H006BA02
, 4H006BA03
, 4H006BA04
, 4H006BA20
, 4H006BA21
, 4H006BA29
, 4H006BA32
, 4H006BD70
, 4H006BE01
, 4H006BE20
, 4H006BE53
, 4H006GP03
, 4H006GP20
, 4H006GP22
, 4H006QN30
, 4H027BA01
, 4H027BD03
, 4H027BD05
, 4H027BD24
, 4H027BE04
, 4H027BE05
, 4H027CD04
, 4H027CH05
, 4H027CK01
, 4H027CK02
, 4H027CK03
, 4H027CK04
, 4H027CK05
, 4H027CM04
, 4H027CQ04
, 4H027CR01
, 4H027CR03
, 4H027CR04
, 4H027CR05
, 4H027CU04
, 4H027CU05
, 4H027DF05
, 4H027DH04
, 4H027DH05
, 4H039CA40
, 4H039CA61
, 4H039CB10
, 4H039CD10
, 4H039CD20
引用特許: