特許
J-GLOBAL ID：200903057081381973
薄膜トランジスタ及びこの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-151212
公開番号（公開出願番号）：特開平10-341020
出願日： 1997年06月09日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：
【要約】【課題】製造コストの低減が可能であるとともに、加工精度を向上できる薄膜トランジスタ及び製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ガラス基板11上に形成された絶縁体遮光層13からなる段差を跨いでかつ段差側壁を被って形成された多結晶シリコン膜15を有している。この多結晶シリコン膜15上は、絶縁膜19によって覆われ、絶縁膜19の上部に導電性膜101が形成されている。導電性膜101の直下に位置する多結晶シリコン膜15は、活性領域20として機能する。この活性領域20の両端に位置し、段差の側壁の略直上に位置する領域には、段差の下部より不純物濃度の低い低濃度領域16が形成されている。
請求項（抜粋）：
絶縁体によって形成された第1平坦部に対して突出して形成されているとともに、前記第1平坦部から所定の高さに形成された第2平坦部、及び前記第1平坦部と第2平坦部とをつなぐ側壁部を有する突起部と、前記突起部の第2平坦部の略直上に位置する活性領域、前記絶縁体の第1平坦部の略直上に位置する第1不純物領域、及び前記突起部の側壁部の略直上に位置して前記活性領域と第1不純物領域とをつなぐとともに前記第1不純物領域より低濃度の不純物を含む第2不純物領域を有する半導体膜と、前記第2平坦部の略直上に形成された導電膜と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 616 A
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 616 M
, H01L 29/78 618 C
, H01L 29/78 626 C
