特許

J-GLOBAL ID：200903057085363104

多層型電子材料、その製造方法、それを用いたセンサー及び記憶デバイス

発明者： 徐 超男 ,  渡辺 忠彦 ,  劉 芸 ,  秋山 守人
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院九州工業技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-249808
公開番号（公開出願番号）：特開2001-073117
出願日： 1999年09月03日
公開日（公表日）： 2001年03月21日
要約：

【要約】【課題】 基体材料に制限がなく、単結晶はもちろん多結晶、アモルファスのいずれのものを用いた場合においても、簡単に長期安定性の良好なペロブスカイト構造の配向膜を提供する。【解決手段】 基板とその上に形成された少なくとも1層のペロブスカイト系導電体層及びその導電体層上に設けられたペロブスカイト系誘電体配向層を含む多層積層体とからなる多層型電子材料とする。

請求項（抜粋）：

基板とその上に形成された少なくとも1層のペロブスカイト系導電体層及びその導電体層上に設けられたペロブスカイト系誘電体配向層を含む多層積層体とからなる多層型電子材料。

IPC (6件)：

C23C 14/08 ,  C03C 17/34 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 41/24

FI (5件)：

C23C 14/08 K ,  C03C 17/34 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 41/22 A

Fターム (21件)：

4G059AA11 ,  4G059AC11 ,  4G059EA07 ,  4G059EB04 ,  4G059EB05 ,  4G059GA01 ,  4G059GA12 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029BC00 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029GA01 ,  5F083GA21 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA45 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 誘電体薄膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-272565   出願人：富士通株式会社
• 配向性導電性薄膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-297620   出願人：富士ゼロックス株式会社