特許
J-GLOBAL ID：200903057104587329
静電チヤツク及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-303490
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144929
出願日： 1991年11月19日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 吸着力が強いとともに真空特性が良く、しかも効率良く試料を加熱、冷却しうる静電チャックを提供する。【構成】 電極基板1上にプラズマCVDによりダイヤモンド薄膜4が形成されている。ダイヤモンド薄膜4上にはプラズマCVDにより金属箔5が形成されている。この金属箔5の厚みは数μmである。金属箔5上にはプラズマCVDによりダイヤモンド薄膜9が形成されている。このダイヤモンド薄膜9の厚みは10〜20μmである。ダイヤモンド薄膜9上には非磁性体10が載せられ、これに直流電圧を印加することによって非磁性体10が吸着される。
請求項（抜粋）：
基板上の電極層を被覆する絶縁性誘電層上に載置した試料を電気的に吸着する静電チャックにおいて、上記絶縁性誘電層はアルミナに比して高い熱伝導率を有し、その膜厚が5〜25μmであることを特徴とする静電チャック。
IPC (2件)：
引用特許：
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