半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-336936
公開番号（公開出願番号）：特開平7-192472
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】容易に装置の動作の高速化を図ることを可能とする半導体記憶装置を提供する。【構成】同期信号CLKに同期して行アドレス処理回路2および列アドレス処理回路5が動作する。これらの回路の各々は、アドレスバッファおよびデコーダを含む。このアドレスバッファまたはデコーダが同期信号CLKに同期して動作する。

請求項（抜粋）：

外部入力信号と同期信号とを受け、前記同期信号に同期して前記外部入力信号をデコードする半導体記憶装置であって、前記同期信号に同期して前記外部入力信号を処理する入力処理手段を備え、前記入力処理手段は、前記外部入力信号を増幅および反転増幅して出力するバッファ手段と、前記バッファ手段の出力信号をデコードするデコード手段とを含み、前記バッファ手段または前記デコード手段が前記同期信号に応答して信号を出力する、半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/413 , G11C 11/408

FI (3件)：

G11C 11/34 302 A , G11C 11/34 303 , G11C 11/34 354 B

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平3-030188
特開昭63-300629
特開平3-142783

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