特許

J-GLOBAL ID：200903057120074471

昇圧回路,電圧発生回路及び半導体メモリ

発明者： 細野 浩司 ,  中村 寛 ,  池橋 民雄 ,  神田 和重 ,  竹内 健 ,  今宮 賢一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-187021
公開番号（公開出願番号）：特開2000-149582
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】昇圧を行う昇圧回路において、昇圧電位の立ち上がり特性の向上及び設定電圧での安定化の両立を図る。【解決手段】i(i≧1)個の昇圧セルCP1 〜CPi が直列に多段接続された第1の昇圧セル群101があり、その出力ノード111と昇圧回路100の出力ノード110との間に、m-i個(m-i≧1)の昇圧セルCP’i+1 〜CP’m が直列に多段接続された第2の昇圧セル群102と、m-i個(m-i≧1)の昇圧セルCP”i+1 〜CP”m が直列に多段接続された第3の昇圧セル群103が並列に接続されている。

請求項（抜粋）：

1個または複数個の昇圧セルが直列に接続された第1の昇圧セル部と、一端が第1の昇圧セル部に接続され、1個または複数個の昇圧セルが直列に接続された昇圧セル群が複数個並列接続された第2の昇圧セル部とを具備してなることを特徴とする昇圧回路。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  H02M 3/07

FI (2件)：

G11C 17/00 632 A ,  H02M 3/07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 不揮発性半導体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-143909   出願人：三菱電機株式会社
• 昇圧回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-148148   出願人：日本電気株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-056218   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-349481   出願人：富士通株式会社