特許

J-GLOBAL ID：200903057139160620

炭化珪素単結晶及びその製造方法並びに炭化珪素単結晶育成用炭化珪素結晶原料

発明者： 大谷 昇 ,  勝野 正和 ,  藤本 辰雄 ,  矢代 弘克
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-301935
公開番号（公開出願番号）：特開2003-104798
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月09日
要約：

【要約】【課題】 高抵抗率で高品質の大口径炭化珪素単結晶インゴットの製造方法、その方法に用いる炭化珪素単結晶育成用炭化珪素結晶原料、その方法より製造される炭化珪素単結晶を提供する。【解決手段】 昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、原料としてバナジウムの濃度が1×1018〜6×1019atom/cm3であり、バナジウム以外の不可避不純物の濃度が前記バナジウムの濃度未満である炭化珪素結晶を用いて、炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法、その方法に用いる炭化珪素単結晶育成用炭化珪素結晶原料、その方法より製造される炭化珪素単結晶である。

請求項（抜粋）：

昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、原料としてバナジウムの濃度が1×1018〜6×1019atom/cm3であり、バナジウム以外の不可避不純物の濃度が前記バナジウムの濃度未満である炭化珪素結晶を用いて、炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

Fターム (6件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077EB01 ,  4G077HA06 ,  4G077SA04

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 高低抗炭化ケイ素の製法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-505534   出願人：ダイムラー-ベンツアクチエンゲゼルシャフト, フラウンホーファー-ゲゼルシャフトツルフェルデルングデルアンゲヴァンテンフォルシュングエー.ファウ.
• 高出力マイクロ波装置用高抵抗炭化珪素基板
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-532839   出願人：ノースロップグラマンコーポレーション
• バナジウム占有の無い半絶縁性炭化珪素
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-620157   出願人：クリーインコーポレイテッド

審査官引用 (1件)

• 高低抗炭化ケイ素の製法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-505534   出願人：ダイムラー-ベンツアクチエンゲゼルシャフト, フラウンホーファー-ゲゼルシャフトツルフェルデルングデルアンゲヴァンテンフォルシュングエー.ファウ.