金型及びその金型によって封止された半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-038086
公開番号（公開出願番号）：特開2000-235988
出願日： 1999年02月17日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【課題】半導体素子の樹脂封止で、成形樹脂3の投下効率のよい金型と、その金型を用いて封止した半導体装置。【解決手段】半導体素子を封止するトランスファー成形装置の金型で、ゲート5と最初のキャビティ6との間には第1ゲート8を設け、かつ、隣接する各キャビティ6の間には素子間平行スルーゲート9を設ける金型。この金型を用いて樹脂封止する半導体装置。

請求項（抜粋）：

ポット内の成形樹脂をランナーを介して第1のゲートからキャビティに流入させ、前記キャビティ内にセットされているリードフレームに搭載されている半導体素子を封止するトランスファー成形装置の金型において、前記第1のゲートとこの第1のゲートに最初に接続するキャビティとの間には第2のゲートが設けられ、かつ、隣接する各キャビティの間には素子間平行スルーゲートが設けられていることを特徴とする金型。

IPC (3件)：

H01L 21/56 , B29C 45/02 , B29C 45/26

FI (3件)：

H01L 21/56 T , B29C 45/02 , B29C 45/26

Fターム (23件)：

4F202AA39 , 4F202AC01 , 4F202AD19 , 4F202AH33 , 4F202CA12 , 4F202CB01 , 4F202CB12 , 4F202CK06 , 4F202CK15 , 4F206AA39 , 4F206AC01 , 4F206AD19 , 4F206AH37 , 4F206JA02 , 4F206JB17 , 4F206JQ81 , 5F061AA01 , 5F061BA01 , 5F061CA21 , 5F061DA03 , 5F061DA04 , 5F061DA05 , 5F061DA06

引用特許：

審査官引用 (5件)

トランスファモールド方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-179757 出願人：株式会社日立製作所
特開昭63-199619
特開昭61-194730

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