特許

J-GLOBAL ID：200903057171091150

酸化物針状結晶の製造方法、酸化物針状結晶および光電変換装置

発明者： 田 透 ,  大倉 央 ,  小中原 馨
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-275156
公開番号（公開出願番号）：特開2002-167300
出願日： 2001年09月11日
公開日（公表日）： 2002年06月11日
要約：

【要約】【課題】 基板上に酸化物針状結晶を成長させる。【解決手段】 金属あるいは無機化合物を含み構成される原料104を第1の温度で加熱することにより気化させ、原料から気化した結晶構成材料を、第1の温度よりも低い第2の温度に加熱された基体101に付着させる。基体表面に、結晶核発生となる凹凸が形成されている。基体表面には、導電層が形成されている。導電層が透明電極である。酸化物針状結晶の軸が基体に対して60度以上立っている割合が、70%以上である。酸化物針状結晶表面に酸化物超微粒子が分散されている。

請求項（抜粋）：

金属あるいは無機化合物を含み構成される原料を第1の温度で加熱することにより気化させ、該原料から気化した結晶構成材料を、該第1の温度よりも低い第2の温度に加熱された基体に付着させることを特徴とする酸化物針状結晶の製造方法。

Fターム (10件)：

4G077AA04 ,  4G077BB04 ,  4G077BB07 ,  4G077BB09 ,  4G077BB10 ,  4G077DA02 ,  4G077DA17 ,  4G077EA01 ,  4G077EE05 ,  4G077HA20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 層状結晶構造酸化物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-076155   出願人：ソニー株式会社
• 酸化亜鉛薄膜、その製造方法、光電変換素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-205849   出願人：キヤノン株式会社