特許

J-GLOBAL ID：200903057188786429

電界で変調可能な半導体レーザを含む物品

発明者： フェデリコ キャパッソ ,  アルフレッド イ チョ ,  ジェローム ファイスト ,  アルバート リー ハッチンソン ,  カルロ サートリー ,  デボラ リー シフコ
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-076330
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275956
出願日： 1998年03月24日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】 電界で変調可能な半導体レーザを提供すること。【解決手段】 本発明の半導体レーザ111は、複数の層からなる活性領域12にかかる電気的バイアスに依存して放射光子の周波数を変化させるものである。そしてこの本発明のレーザは、中間IRの放射に適したものであり、トレースガスの検出に使用できる。活性領域12は、前記接点に直交する方向に複数の層からなる同一の繰り返しユニット20を複数個有し、前記複数の層は、レーザのレーザ発振遷移41は、第1量子状態(n=1)から第2量子状態(n=1′)への電荷キャリアの非共鳴トンネル現象遷移であり、前記遷移は、光子放射が伴う。前記光子周波数は、半導体構造にかけられた電気バイアスの関数である

請求項（抜粋）：

活性領域(12)を含む半導体構造に電気バイアスをかける第1接点(91)と第2接点とを有するレーザ(111)を含む物品(110)において、前記活性領域(12)は、前記接点に直交する方向に複数の層からなる同一の繰り返しユニット(20)を複数個有し、前記複数の層は、a)レーザのレーザ発振遷移(41)は、第1量子状態(n=1)から第2量子状態(n=1′)への電荷キャリアの非共鳴トンネル現象遷移であり、前記遷移は、光子放射が伴い、前記光子エネルギは、hνであり、ここでhはプランクの定数、νは光子の周波数であり、b)前記光子周波数は、半導体構造にかけられた電気バイアスの関数であることを特徴とする電界で変調可能な半導体レーザを含む物品。

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許第5502787号
  
• 半導体導波路構造を含む製品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-123852   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション