特許

J-GLOBAL ID：200903057190629837

窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者： 山崎 幸生 ,  神川 剛
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-108121
公開番号（公開出願番号）：特開2006-287137
出願日： 2005年04月05日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：

【課題】 窒化物半導体レーザ素子において、リッジストライプからの漏れ光の多重反射による電流-光出力特性の雑音を防ぐ。 【解決手段】 窒化物半導体レーザ素子10の出射端面16近傍のリッジストライプ13が設けられていない部分に、出射端面16と接するように凹部18を設ける。凹部18の側面は、窒化物半導体層12の上面と比べて粗い面である。リッジストライプ13からの漏れ光は凹部18の側面では反射しないため高反射面17との間で多重反射せず、電流-光出力特性の雑音を防ぐことができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に形成され、リッジストライプを有する窒化物半導体層と、この窒化物半導体層上に形成された電極と、前記リッジストライプの長手方向に垂直な出射端面とを備えた窒化物半導体レーザ素子において、 少なくとも前記窒化物半導体層の上面における前記出射端面近傍の前記リッジストライプが設けられていない部分に開口部が形成され、前記基板を底面とする凹部を備え、この凹部の前記底面を除く面は前記窒化物半導体層の上面に比べて粗い面であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (1件)：

H01S 5/22

FI (1件)：

H01S5/22

Fターム (8件)：

5F173AA05 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP23 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AR69

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-126561   出願人：日亜化学工業株式会社